IRF540NSTRLPBF MOSFET N-CH 33A 100V
7.000₫
Còn hàng
Mô tả :
IRF540NSTRLPBF IRF540NS F540NS TO-263
Typ FET
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C
33 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10 V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C
44 mOhm bei 16 A, 10 V
Vgs(th) (max.) bei Id
4 V bei 250 µA
Gateladung...
IRF540NSTRLPBF IRF540NS F540NS TO-263
| Typ FET | N-Kanal | |
|---|---|---|
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V | |
| Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C | 33 A (Tc) | |
| Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10 V | |
| Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C | 44 mOhm bei 16 A, 10 V | |
| Vgs(th) (max.) bei Id | 4 V bei 250 µA | |
| Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs | 71nC @ 10V | |
| Vgs (Max.) | ±20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1960pF @ 25V | |
| FET-Merkmal | - | |
| Verlustleistung (max.) | 130 W (Tc) | |
| Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
| Montagetyp | Oberflächenmontage | |
| Gehäusetyp vom Lieferanten | D2PAK | |
| Gehäuse / Hülle | TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-263AB |
