IRF540NSTRLPBF MOSFET N-CH 33A 100V

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IRF540NSTRLPBF IRF540NS F540NS TO-263

Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 33 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10 V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 44 mOhm bei 16 A, 10 V
Vgs(th) (max.) bei Id 4 V bei 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 71nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1960pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 130 W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
Gehäuse / Hülle TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-263AB