IRF7832TRPBF

6.000₫

Còn hàng

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Tipo FET     Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss) 30V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C 20 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5 V, 10 V
Rds On (max) - Id, Vgs 4 mOhm a 20 A, 10 V
Vgs(th) (max) a Id 2,32 V a 250 µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs 51nC @ 4,5V
Vgs (max) ±20 V
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds 4310pF @ 15V
Funzione FET -
Dissipazione di potenza (max) 2,5 W (Ta)
Temperatura di funzionamento -55 °C ~ 155 °C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale (SMD, SMT)
Contenitore del fornitore 8-SO
Contenitore / involucro 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza)

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