IRF7832TRPBF MOSFET N-CH 20A 30V
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Mô tả :
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C
20 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5 V, 10 V
Rds On (max) - Id, Vgs
4 mOhm a 20 A, 10...
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Tipo FET | Canale N | |
---|---|---|
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - assorbimento continuo (Id) a 25 °C | 20 A (Ta) | |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (max) - Id, Vgs | 4 mOhm a 20 A, 10 V | |
Vgs(th) (max) a Id | 2,32 V a 250 µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 51nC @ 4,5V | |
Vgs (max) | ±20 V | |
Capacità ingresso (Ciss) max a Vds | 4310pF @ 15V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5 W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55 °C ~ 155 °C (TJ) | |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale (SMD, SMT) | |
Contenitore del fornitore | 8-SO | |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) |